1月30日，长光华芯开工首日，一举收获三项国际发明专利授权通知，其中两项来自美国专利局，一项来自日本专利局，成为长光华芯布局海外知识产权，打造科技核心竞争力的良好开端。长光华芯硬核开启全球化新征程。
PCT 是一份拥有超过 155 个缔约国的国际条约，是申请国外专利的主要途径之一，必须经过一系列严格的技术新颖性、创新性和实用性审查才能完成授权，含金量极高。通过世界知识产权组织PCT体系提交的国际专利申请量是衡量全球创新活动广泛使用的指标之一（长光华芯申请PCT国际专利12项，其中3项已获得美国和日本授权）。
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一种多有源区级联的半导体激光器
Multi-Active-Region Cascaded Semiconductor Laser
在激光雷达芯片方面，获美国专利局授权的“一种多有源区级联的半导体激光器”，通过在周期性增益结构中增加更多的有源区，提高了器件的内量子效率，同时也降低了载流子的密度，从而获得更多的增益。势垒层连接不具有pn结特性，因此该层不会提高器件工作的开启的电压，同时外延生长也较隧道结更简单。该专利为激光雷达芯片的新型结构设计，打破了国外激光雷达芯片结构专利限制。基于该专利技术，长光华芯VCSEL阵列最高效率达到60%，打破了当时最高光电转换效率指标纪录。 该项专利成果于2021年取得中国授权后进入美国申请专利，分别于2021年和2022年在全球光学盛会美国Photonics West世界光子学会议上做了报告。长光华芯在激光雷达芯片方面一直坚持自主创新的技术路线，围绕激光雷达VCSEL芯片技术路线进行了多项核心专利国际保护。 02 一种高功率半导体芯片及其制备方法 在高功率半导体激光芯片方面，获日本专利局授权的“一种高功率半导体芯片及其制备方法”通过在波导内设置侧向光栅层，提高了高阶光侧向模式在波导内的传播损耗，达到了抑制高阶光侧向模式激射的目的；通过设置多组周期不同的光栅，抑制了由于单一光栅增益调制和折射率调制引起的强度振荡光模式的激射，从而达到抑制侧向光强度周期振荡的作用，消除远场双峰，降低激光器的侧向发散角，且不对低阶模产生影响，提高了芯片亮度。基于该专利技术，长光华芯芯片亮度达到100 MW/cm2sr，处于国际领先水平。 03 一种布拉格光栅外腔激光器模块合束装置及合束方法 Beam Combining Device and Beam Combining Method for Bragg Grating External-Cavity Laser 在光纤耦合模块方面，获美国专利局授权的“一种布拉格光栅外腔激光器模块合束装置及合束方法”，通过检测和判断形成闭环反馈，有效解决在外腔光栅光谱合束中因不同发光模块光束指向性不同，锁定波长存在偏差造成的功率损失和合束输出光光束质量下降的问题，合束装置结构简单，判断检测快速，调整方便。 发明专利是企业科研创新硬实力的直接体现。近年来，通过研发技术创新、强化专利布局等一系列举措, 长光华芯的知识产权工作取得显著成效，截至目前共计获得授权专利130余项，其中发明专利80余项，顺利通过知识产权管理体系认证，专利数量和质量同步提升，在2022年中国488家科创板上市企业有效发明专利排行榜中，长光华芯位居第115位。国际发明专利授权意味着公司的相应技术得到了国际认可，长光华芯在激光芯片领域的创新力和竞争力已达国际先进水平。 聚焦创新驱动引领，增强科研攻关能力。未来，长光华芯将继续用创新能力为激光产业赋能，专注关键核心技术攻关，建设高端人才队伍，强化知识产权保护和成果转化工作，助力中国激光产业高速发展。中国激光芯，光耀美好生活。
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