聚焦离子束扫描电子显微镜（FIB-SEM）    

型号：Crossbeam340/550

低电压电子束分辨率提升高达30%。

无论是二维表面成像或三维重构，蔡司Crossbeam的扫描电子束均可提供优异的表现。借助于Tandem decel在样品上施加电压，Gemini光学系统可以在1kV下获得高达1.4nm的分辨率，从而对任意样品均可获得优秀的图像。可通过一系列的探测器表征您的样品。通过独特的Inlens EsB探测器，可获取纯的材料成分衬度信息。表征不导电样品可以不受荷电效应的影响。

通过FIB智能的刻蚀策略，其材料移除速率可提升高达40%。

在镓离子类型的FIB-SEM中采用了大离子束束流。使用高达100nA的离子束束流可显著节约时间，同时具有优秀的FIB束斑形状，从而获得高分辨率。得益于智能的FIB扫描策略，移除材料时高效且精准。可自动批量制取样品，例如截面，TEM样品薄片或任何使用者自定义的图形。

体验整合的三维能谱分析所带来的优势

可使用蔡司Atlas
5软件扩展您的Crossbeam，它是一个针对快速而准确的三维断层成像的软硬件包。使用Atlas 5中集成的三维分析模块可在三维断层成像的过程中进行能谱分析蔡司Crossbeam将Gemini电子束镜筒和定制的聚焦离子束镜筒结合起来，从而获得高精度与速度。因此FIB-SEM的断层成像可获得优异的三维空间分辨率和各向同性的三维体素尺寸。使用Inlens EsB探测器，探测深度小于3nm，可获得表面敏感的、材料成分衬度图像。