品牌：DIODES/美台型号：ZXMP6A13FTA用途：功率结构：PNP管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：塑料封装工艺：平面型三极管功耗：625W频率特性：219MHz60V：900mA（Ta）400 毫欧 @ 900mA，10V：1V @ 250µA5.9nC @ 10V：219pF @ 30V625mW：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

数据列表产品相片RoHS指令信息其它图纸标准包装  类别家庭系列包装  FET 类型FET 功能漏源极电压（Vdss）电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）不同 Vds 时的输入电容（Ciss）功率 - 最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装产品目录页面其它名称

ZXMP6A13F

SOT23

RoHS Cert of Compliance

SOT-23 Top

3,000

分立半导体产品

FET - 单

-

带卷（TR）

MOSFET P 通道，金属氧化物

标准

60V

900mA（Ta）

400 毫欧 @ 900mA，10V

1V @ 250µA

5.9nC @ 10V

219pF @ 30V

625mW

表面贴装

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

SOT-23-3

1474 (CN2011-ZH PDF)

ZXMP6A13FTR

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