品牌：TWGMC台湾）型号：SI2300类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：中频封装外形：SMDSO/表面封装材质：MES金属半导体工作电压：20V工作电流：1A最大允许功耗：5W用途：增强外形尺寸：3mm加工定制：否50mA：0.95V
SI2300 场效应管
品牌：TWGMC
型号：SI2300
封装：SOT23
包装：3000
年份：201806+
数量：600000
TWGMC 授权代理商
香港迪嘉有限公司
联系人：郭先生
电话：15816876741
20V N沟道增强模MOSFET评分：2300AO34011阿阿SI2300www.tw-gmc.com电学特性Ta=25参数符号测试条件Min Typ MAX单元漏源击穿电压VDSS VGS=0V，ID=250 uA 20V零栅电压漏电流IDSS VDS=20V，VGS=0V1UA门体泄漏IGSS vgs=10v vds=0v100na栅阈值电压*VGS(TH)VGS=VDS，ID=250 uA 0.6 0.78 1.5 VVGS=4.5V，ID=5.0A 32 40mVGS=2.5V，ID=4.0A 50 60mVGS=1.8V，ID=1.0A 62 75m通态漏电流*ID(ON)VDS=5V，VGS=4.5V 18A正向跨导*GFS VDS=5V，ID=5A 5S输入电容CISS 888 PF输出电容Coss 144 PF反向传输电容CRSS 115 PF开启延迟时间TD(ON)31.8 ns上升时间Tr 14.5 ns关断延迟时间TD(OFF)50.3 ns下落时间TF 31.9 ns总栅电荷QG 16.8 NC栅-S源收费QGS 2.5 NC浇口漏荷Qgd 5.4nc漏极源二极管正向电流*为1.25 A二极管正压VSD VGS=0V，IS=1.25A 0.825 1.2V*脉冲测试：脉宽300，占空比2%VDS=10V，ID=3.5A，VGS=4.5V漏-源-状态电阻*RDS(ON)VDD=10V，ID=1A，VGS=4.5V，RL=10，rgen=6VDS=15V，VGS=0V，f=1.0MHZ2AO3401 SI2300
