品牌：INFINEON/英飞凌型号：SPW17N80C3类型：其他沟道类型：N型沟道导电方式：增强型封装外形：P-DIT/塑料双列直插
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Attributevalue
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 17 A |
| 最大漏源电压 | 800 V |
| 最大漏源电阻值 | 290 mΩ |
| 最大栅阈值电压 | 3.9V |
| 最小栅阈值电压 | 2.1V |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 通道模式 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 最大功率耗散 | 227 W |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 5.21mm |
| 典型关断延迟时间 | 72 ns |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 长度 | 16.13mm |
| 典型接通延迟时间 | 25 ns |
| 典型栅极电荷@Vgs | 88 nC @ 10 V |
| 高度 | 21.1mm |
| 系列 | CoolMOS C3 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型输入电容值@Vds | 2300 pF @ 100 V |
SPW17N80C3 参数
制造商Infineon
产品种类MOSFET 功率
RoHS是
配置Single
晶体管极性N-Channel
电阻汲极/源极 RDS（导通）0.29 Ohms
汲极/源极击穿电压800 V
闸/源击穿电压+/- 20 V
漏极连续电流17 A
功率耗散208 W
最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-247
封装Tube
下降时间6 ns
最小工作温度- 55 C
上升时间15 ns
Standard Pack Qty240
零件号别名SPW17N80C3XK
原装正品，现货现货现货现货
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：17A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：290 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：177nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：2320pF @ 25V
功率 - 最大值：227W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3
