品牌：其他型号：C2M0160120D

规格
FET 类型N 沟道
技术SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）196 毫欧 @ 10A，20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）32.6nC @ 20V
Vgs（最大值）+25V，-10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）527pF @ 800V
FET 功能-
功率耗散（最大值）125W（Tc）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-247-3
封装/外壳TO-247-3


图像和媒体
产品相片TO-247-3
特色产品Cree - Silicon Carbide Power MOSFETs
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