供应AOS AOTF472场效应管 万代代理商 MOSFET型号大全 富利佳电子香港有限公司

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AOTF472 - 单端场效应管 - TO-220FL​

制造商：AOS公司美国万代半导体（Alpha Omega Semiconductor）

正规代理商：富利佳电子香港有限公司

出厂封装：TO-220FL

功能类别：单端场效应管

参数详情：

制造商零件编号：AOTF472
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET N-CH 75V 53A TO220FL
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：75V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10A（Ta），53A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.9 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：115nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4500pF @ 30V
功率 - 最大值：1.9W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220FL

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其他热门产品型号：

AOL1404 - 单端场效应管 - UltraSO-8

制造商：AOS公司美国万代半导体（Alpha Omega Semiconductor）
出厂封装：UltraSO-8
功能类别：单端场效应管
参数详情：
制造商零件编号：AOL1404
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET N-CH 20V 18A 8ULTRASO
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平栅极，2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Ta），45A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4 毫欧 @ 20A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4630pF @ 10V
功率 - 最大值：2.1W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3 非标准型 SMD
供应商器件封装：UltraSO-8

AOW15S65 - 单端场效应管 - TO-262

制造商：AOS公司美国万代半导体（Alpha Omega Semiconductor）
出厂封装：TO-262
功能类别：单端场效应管
参数详情：
制造商零件编号：AOW15S65
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET N-CH 650V 15A TO262
系列：aMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：650V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：15A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：290 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：841pF @ 100V
功率 - 最大值：208W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
供应商器件封装：TO-262

AON7534 - 单端场效应管 - 8-DFN

制造商：AOS公司美国万代半导体（Alpha Omega Semiconductor）
出厂封装：8-DFN
功能类别：单端场效应管
参数详情：
制造商零件编号：AON7534
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8DFN
系列：-
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20A（Ta），30A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1037pF @ 15V
功率 - 最大值：3W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：8-DFN（3x3）

AON6548 - 单端场效应管 - 8-DFN

制造商：AOS公司美国万代半导体（Alpha Omega Semiconductor）
出厂封装：8-DFN
功能类别：单端场效应管
参数详情：
制造商零件编号：AON6548
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
描述：MOSFET N-CH 30V 85A 8-DFN
系列：AlphaMOS
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：52A（Ta），85A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：90nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4290pF @ 15V
功率 - 最大值：7.4W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：8-DFN（5x6）

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