恒温晶振 KOH36D  恒温晶振 稳定度优于5E-12@1s

产品描述：

KOH36D高稳晶振，选用高真空，高Q，低老化率精密晶体，利用高灵敏积分式控温技术，让OCXO信号输出平稳，并且拥有整洁的频谱质量，高稳定度、低相位噪声、低老化率等特性；KOH36D型高稳晶振耐压值高达18V，开放四种LVTTL，HCMOS，CMOS，Sine可选波形，尺寸大小36×27×13mm.

核心技术指标：

标称频率：10.000MHz

电源电压：3.3V，5V，12V（可选）

启动功耗：<3.8W（持续时间60s）

稳态功耗：<1.2W（持续时间180s）

输出波形：Sine，LVTTL，HCMOS，CMOS（可选）

温度频率稳定度：±10ppb，±5ppb（可选）

频率稳定度（短稳）：<5E-12@1s，<1E-11@10s

老化率（最大值）：<0.5ppb/day，<0.05ppm/year

相位噪声（典型值）：-130dBc@10Hz；-150dBc@100Hz；-158dBc@1KHz；-160dBc@10KHz

典型应用：

KOH36D型高稳晶振拥有整洁频谱、高稳定度、低相位噪声、低老化率等优异特性，完全可做为时钟设备本振源，利用较好的驯服补偿算法，守时能力可优于8us@24h；可广泛应用于电信、电力、广电、交通、森林防护、石油勘探、机场建设、仪器仪表等时钟设备中.

产品描述：

KOHU36D高稳晶振是一款快速稳定产品，开机仅需2小时就可以进入保持模式，本产品选用高真空，高Q，低老化率精密晶体设计，内置高精密平衡式控恒槽体，以尽量避免外界噪音及自然环境温度对OCXO的影响；使其输出高稳定、高质量的时钟信号，频率温度稳定度最高可达0.5ppb，频率稳定度（秒稳）可达3E-12；KOHU36D型高稳晶振耐压值高达18V，开放四种LVTTL，HCMOS，CMOS，Sine可选波形，尺寸大小36×27×13mm.

核心技术指标：

标称频率：10.000MHz

电源电压：5V，12V（可选）

启动功耗：<5.4W（持续时间2min）

稳态功耗：<1.5W（持续时间5min）

输出波形：Sine，LVTTL，HCMOS，CMOS（可选）

温度频率稳定度：±1ppb，±0.5ppb（可选，1ppb=1×10-9=0.001ppm）

频率稳定度（短稳）：<5E-12@1s，<1E-11@10s

老化率（最大值）：<0.5ppb/day，<0.05ppm/year

相位噪声（典型值）：-130dBc@10Hz；-150dBc@100Hz；-158dBc@1KHz；-160dBc@10KHz.

2小时内快速稳定，并进入保持模式.

典型应用：

KOHU36D型高稳晶振不仅是一款快速稳定产品，并且还拥有整洁频谱、高稳定度、低相位噪声、低老化率等优异特性，完全可做为时钟设备本振源，利用较好的驯服补偿算法，守时能力可优于5us@24h；可广泛应用于电信、电力、广电、交通、森林防护、石油勘探、机场建设、仪器仪表等时钟设备中.

恒温晶振 KOH25D  恒温晶振 稳定度优于5E-12@1s

产品描述：

KOH25D高稳晶振，选用高真空，高Q，低老化率精密晶体，利用高灵敏积分式控温技术，让OCXO信号输出平稳，并且拥有整洁的频谱质量，高稳定度、低相位噪声、低老化率等特性；KOH25D型高稳晶振耐压值高达18V，开放四种LVTTL，HCMOS，CMOS，Sine可选波形，尺寸大小25×25×13mm.

核心技术指标：

标称频率：10.000MHz

电源电压：3.3V，5V，12V（可选）

启动功耗：<3.8W（持续时间60s）

稳态功耗：<1.2W（持续时间180s）

输出波形：Sine，LVTTL，HCMOS，CMOS（可选）

温度频率稳定度：±10ppb，±5ppb（可选）

频率稳定度（短稳）：<5E-12@1s，<1E-11@10s

老化率（最大值）：<0.5ppb/day，<0.05ppm/year

相位噪声（典型值）：-130dBc@10Hz；-150dBc@100Hz；-158dBc@1KHz；-160dBc@10KHz

典型应用：

KOH25D型高稳晶振拥有整洁频谱、高稳定度、低相位噪声、低老化率等优异特性，完全可做为时钟设备本振源，利用较好的驯服补偿算法，守时能力可优于8us@24h；可广泛应用于电信、电力、广电、交通、森林防护、石油勘探、机场建设、仪器仪表等时钟设备中.