品牌:达拉斯型号:DS1225AD-150+类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:N型沟道导电方式:增强型适合频率:高频封装外形:SMDSO/表面封装材质:N-FET硅N沟道
seline;color:#333333;background-color:#FFFFFF;">“达拉斯DS1225AD-150+”参数说明
是否有现货: | 是 | 封装: | DIP |
功能结构: | 数字集成电路 | 制作工艺: | 半导体集成电路 |
导电类型: | 双极型 | 外形: | 扁平型 |
集成度高低: | 中规模集成电路 | 应用领域: | 标准通用 |
型号: | DS1225AD-150+ | | |
“达拉斯DS1225AD-150+”详细介绍
封装:管件
说明:IC NVSRAM 64KBIT 150NS 28EDIP
标准包装:12
类别:集成电路 (IC)
家庭:存储器
系列:-
包装:管件
格式 - 存储器:RAM
存储器类型:NVSRAM(非易失 SRAM)
存储容量:64K (8K x 8)
速度:150ns
接口:并联
电压 - 电源:4.5 V ~ 5.5 V
工作温度:-40°C ~ 85°C
封装/外壳:28-DIP 模块(0.600",15.24mm)
供应商器件封装:28-EDIP