品牌：ON/安森美型号：TIP102G类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：中频封装外形：P-DIT/塑料双列直插材质：N-FET硅N沟道工作电压：100V工作电流：8ANPN - 达林顿：管件8A：100V2.5V @ 80mA，8A：50µA1000 @ 3A，4V：2W
数据列表TIP100-102,105-107
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产品相片TO-220-3
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PCN 设计/规格TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014
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PCN 组件/产地Bipolar Power Transistor TO220 Pkg Assembly & Test 16/Oct/2015
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EDA / CAD 模型 
从 Accelerated Designs 下载 |
标准包装 | 50 |
类别| 分立半导体产品 |
家庭| 晶体管（BJT） - 单路 |
系列| - |
包装 | 管件 |
晶体管类型| NPN - 达林顿 |
电流 - 集电极（Ic）（最大值）| 8A |
电压 - 集射极击穿（最大值）| 100V |
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）| 2.5V @ 80mA，8A |
电流 - 集电极截止（最大值）| 50µA |
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）| 1000 @ 3A，4V |
功率 - 最大值| 2W |
频率 - 跃迁| - |
安装类型| 通孔 |
封装/外壳| TO-220-3 |
供应商器件封装| TO-220AB |
产品目录页面1560 (CN2011-ZH PDF)
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其它名称| TIP102GOS |
联系人：余先生
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