品牌：IR/国际整流器型号：IRLR7843CPBF类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：SMDSO/表面封装材质：N-FET硅N沟道
| 标准包装： | 75 |
| 类别： | 分立式导体产品 |
| 家庭： | FET - 单 |
| 系列： | HEXFET® |
| 包装： | 管件 |
| FET 类型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能： | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）： | 161A （Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）： | 3.3 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）： | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)： | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)： | 4380pF @ 15V |
| 功率 - 最大值： | 140W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装： | D-Pak |
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