品牌：MI型号：MI4822类型：绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型：N型沟道导电方式：增强型适合频率：高频封装外形：SMDSO/表面封装材质：GE-N-FET锗N沟道工作电压：30V工作电流：23ARDS：8MRMI4822替代AO4822，价格优势大量现货供应
无线充电方案MOS管、IC、电容及替换方案
【无线充电】另外提供以下现货及备选方案的元器件供各位工程师选用：
无线充MOS管部分：
AO4822 30V/8.5A/19mΩ Dual-N沟道 SOIC-8封装 ; 【AOS/美国万代】
AO4803 -30V/-5A/46mΩ Dual-P沟道 SOIC-8封装； 【AOS/美国万代】
MI4822 30V/8A/23mΩ Dual-N沟道 SOIC-8封装 ; 【台湾瑞信半导体】
MI4813 -30V/-8.2A/28mΩ Dual-P沟道 SOIC-8封装； 【台湾瑞信半导体】
AM4910N 30V/10A/13.5mΩ Dual-N沟道 SOIC-8封装 ; 【Analogpower/美商亚柏】
AM4935P -30V/-8A/21mΩ Dual-P沟道 SOIC-8封装； 【Analogpower/美商亚柏】
UM3214 30V/9A/12mΩ Dual-N沟道 SOIC-8封装 ; 【Unitpower/群祥】
UM3203 -30V/-6.5A/25mΩ Dual-P沟道 SOIC-8封装； 【Unitpower/群祥】
AON7934 30V/18A/7.7mΩ Dual-N沟道 DFN3*3封装； 【AOS/美国万代】
DMT3009LDT 30V/30A/11mΩ Dual-N沟道 DFN3*3封装； 【DIODES/美台半导体】
其中AON7934、DMT3009LDT可PIN-PIN替换泰德TDM3412 【劲芯微方案】
无线充IC部分：
RICHTEK/立锜驱动IC RT9612BZS SOP-8封装；
无线充村田电容部分：
GRM31C5C1H104JA01L，100NF 50V 1206 NPO；
GRM31M5C1H473J ，47NF 50V 1206 NPO ；
GRM31C5C1H683JA01L，68NF 50V 1206 NPO；
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徐亮
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