在集成电路的制造过程中，有一个重要的环节——光刻，正因为有了它，我们才能在微小的芯片上实现功能。现代刻划技术可以追溯到190年以前，1822年法国人Nicephoreniepce在各种材料光照实验以后，开始试图复制一种刻蚀在油纸上的印痕（图案)，他将油纸放在一块玻璃片上，玻片上涂有溶解在植物油中的沥青。经过2、3小时的日晒，透光部分的沥青明显变硬，而不透光部分沥青依然软并可被松香和植物油的混合液洗掉。通过用强酸刻蚀玻璃板，Niepce在1827年制作了一个d’Amboise主教的雕板相的复制品。

Niepce的发明100多年后，即第二次世界大战期间才第一应用于制作印刷电路板，即在塑料板上制作铜线路。到1961年光刻法被用于在Si上制作大量的微小晶体管，当时分辨率5um，如今除可见光光刻之外，更出现了X-ray和荷电粒子刻划等更高分辨率方法。

所谓光刻，根据维基百科的定义，这是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。这里所说的衬底不仅包含硅晶圆，还可以是其他金属层、介质层，例如玻璃、SOS中的蓝宝石。

光刻的基本原理是利用光致抗蚀剂（或称光刻胶）感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。

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主要产品范围 ：

1、 液晶面板(TFT)正型光刻胶

2、 触摸屏（Touch Panl）正型光刻胶 超黑矩阵(BM)黑胶 OC光刻胶 卷对卷（Roll to Roll）工艺光刻胶 柔性性路板光刻胶 FPC工艺用正胶

3、 倒装(Bumping)工艺光刻胶：适用于电镀铜(ECP)工艺 凸点下金属（UBM）工艺；重布线层（RDL）工艺；影像感测器封装(Copper/Au Piller bump)工艺光

4、 LED行业：台阶刻蚀（MESA）工艺正胶 蒸镀（Lift-off）工艺负胶 透明电极（TCL）工艺正胶 电流阻挡层（BCL）工艺正胶 钝化层（PV）工艺正胶 高压芯芯片（HV）工艺正胶。

5、 手机盖板行业：3D喷涂曝光型光阻油墨（黑白色） 喷涂曝光纹理光阻油墨 喷涂曝光抗氢氟酸光阻油墨 水性防爆胶 喷涂防爆膜 变色光阻油墨；

6、 铜制程工艺：铜制程表面处理剂 铜腐蚀液 不伤金属（Ni,Al,Au,Ag等）去胶液

7、 其它配套试剂：高纯低杂质显影液 不伤金属（Ni,Al,Au,Ag等）去胶液, 不伤金属（Ni,Al,Au,Ag等）去腊液 洗边剂(EBR) 不伤铝二氧化硅腐蚀液(BOE) 光刻胶稀释剂 氧化铟锡(ITO)腐蚀液 SiO2抛光液 钻石抛光液 SiO2抛光清洗剂（不伤铝）；

8、 其它配件：MOCVD外延设备配件（石英配件 钨钼配件 加热器 周边设备配套）；刻蚀机和蒸发台等设备配件；

9、 生产制程辅助工具和材料：Tray盘 花篮 膜 针等