品牌:CQS型号:RLST23A712C半导体材料:硅芯片类型:双极型封装形式:贴片型封装方式:塑料封装功耗:400W外形尺寸:0603mm加工定制:是型号:RLST23A712C封装:SOT-23电压:12V包装:3000钳制电压:26V
area class="lazyLoad">随着当今高新技术的迅猛发展,通信设备也发生了翻天覆地的变化,从原始的简单低效,逐渐朝着自动化、智能化、高速化、精密化演变。与数年前相比,当前集成器件的微型化趋势也造成了产品尺寸的总体缩小。信号传输频率增加迅猛。这个趋势极大改善了计算装置的吞吐速度,以及射频和光子系统的频谱接入。
本文就推荐ESD静电二极管RLST23A712C
瞬态抑制二极管阵列专为保护具有非对称工作电压(-7V至12V)的RS-485应用而设计,使其免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷电引致的浪涌电流带来的危害。 它能吸收高于IEC 61000-4-2国际标准规定之最高级别的反复性ESD放电,无需担心其性能发生减退,并可在极低的箝位电压下安全地耗散19A的8/20μs波形浪涌电流(IEC61000-4-5)。
ESD静电二极管RLST23A712C基本信息:
最大钳位电压:26V
最小击穿电压:13.3V
封装类型:SOT-23
最大反向待机电压:12V
最大峰值脉冲电流:17A
峰值脉冲功率耗散:400W
最大反向漏电流:20μA
测试电流:1mA
ESD静电二极管RLST23A712C基本尺寸:
ESD静电二极管RLST23A712C基本特性
400 W 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)
瞬时保护,用于非对称数据线路,符合:
IEC 61000-4-2 (ESD) ±15kV(空气),±8kV(触点)
IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)
IEC 61000-4-5(雷电)12A (8/20μs)
保护两个 +12V 到 -7V 线路
低电容
低钳位电压
固态硅雪崩技术
============================================================
ESD静电抑制器SOD-323封装型号:
BV03CW;BV05CW;BV08CW;BV12CW;BV15CW;BV24CW;TUSD03FB;TUSD05FB
GBLC03CI;GBLC05CI;GBLC08CI;GBLC12CI;GBLC15CI;GBLC24CI;TUSD15FB;SD05C
SOD-923封装型号:
ESD9D5.0CT5G;ESD9X3.3ST5G;ESD9X5.0XT5G;ESD9X12XT5G;LESD9L5.0CT5G
LESD9D5.0CT5G;ESD9B5V-2/TR;ESD9X5V-2/TR
area>