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300-900nm厚度NANOLN铌酸锂单晶薄膜用于电光调制器
2019-07-27 22:04858
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济南晶正电子科技有限公司
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品牌：NANOLN型号：LNOI类型：单晶薄膜用途：电光调制器材质：晶圆外形尺寸：76.2mm加工定制：加工定制area class="lazyLoad">铌酸锂（LiNbO3）晶体是重要的光电材料，是集成光学、非线性光学、光电子元器件等领域中应用广泛，重要的基片材料之一。目前，铌酸锂晶体被广泛应用在声表面波、调制、激光调Q、光陀螺、光参量振荡、光参量放大、光全息存储等器件中，这些器件在手机、电视机、光通讯、激光测距、电场探测器等器件中发挥着重要的作用。

我们生产的铌酸锂单晶薄膜，其晶格结构为单晶，完全保持了体材料的优秀物理性质，直径为3英寸/4英寸/6英寸，上层铌酸锂单晶薄膜厚度为300~900纳米，中层是2微米厚二氧化硅（SiO2）, 下面是0.5毫米厚铌酸锂晶片衬底。






作为产业链的基础材料，该产品主要应用于以下几个领域：
1、通讯，例如波导等。用此薄膜材料生产的器件与传统产品相比体积可缩小百万倍以上，集成度大幅提高，响应频带宽，功耗低，性能更加稳定，制造成本降低。
2、电子学器件，比如高质量滤波器，延迟线等。
3、信息存储领域，可实现高密度信息存储，一片3英寸薄膜的信息存储容量为70T（相当于10万张CD）

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