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场效应管
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现货供应移动电源MOS 锂电保护板 8205S 低阻抗
2019-07-16 22:41906
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深圳市天地合微电子有限公司
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       耐压高，内阻低

20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

RDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2.0A = 75mΩ

RDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@3.5A = 38mΩ

RDS(ON), Vgs@4.0V, Ids@4.5A = 30mΩ

RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@4.5A = 28mΩ

RDS(ON), Vgs@10V, Ids@5.0A = 25mΩ

 Features

ØAdvanced trench process technologyØHigh Density Cell Design For Ultra Low On-ResistanceØHigh Power and Current handing capabilityØIdeal for Li ion battery pack applications'area>
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