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SI2302是属于增强模式场效应晶体管
SI2302主要参数:
晶体管类型:N沟道MOSFET
最大功耗PD:1.25W
栅极门限电压VGS:2.5V(典型值)
漏源电压VDS:20V(极限值)
20V漏极电流ID:2.8A
通态电阻RDS(ON):0.145OHM(典型值)
栅极漏电流IGSS:±100NA
结温:55°C +150℃