高纯贵金属铂(Pt)溅射镀膜靶材及铂合金管坩锅蒸发镀膜颗粒
贵金属靶产品总述:
随着靶材在磁记录介质、电子半导体、薄膜太阳能及平面显示等产业的发展,我们加大在稀贵金属靶材研发和制备方面的投入力度,通过原料控制、真空感应熔炼、挤压、轧制、真空热压烧结、热等静压、放电等离子体烧结等不同工艺, 并采用严格的质量控制过程,我们能够制备多种靶材并能一直保持着批量供货。
稀贵重金属名称:铂靶、钯靶、银靶、铱靶、铑靶
牌号规格:Pt1、Pd1、Ag1、Ir1、Rh1
用途:主要用于磁记录介质、电子半导体、薄膜太阳能及平面显示等领域。
产 品 详 情: 该材料主要用于仪器、仪表导电环及其他用途,如电容式变送器输油管等。
产品名称:高纯铂Platinum (Pt)溅射靶材及铂合金管材铂坩埚
牌号规格:Pt1、Pt2、PtRh10
用途备注:还应用于仪器、仪表导电环及其他用途,如电容式变送器输油管等
序 号 | 合金牌号 | 熔 点℃ | 密 度g/cm3 | 电 阻 率μΩ.cm | 维氏硬度(不小于) |
1 | Pt1、Pt2 | 1769 | 21.4 | 9.9 | 110 |
2 | PtIr10 | 1780 | 21.5 | 24 | 160 |
铂金溅射靶材 (Platinum-Pt),铂坩埚器皿,白金靶材
规格尺寸:
形状 | 圆形、方形、坩锅 |
尺寸 | 按客户要求定制加工 |
厚度 | 按客户要求定制 |
纯度 | ≥4N |
注:具体尺寸请联系销售。
供应高纯贵金属黄金及金基合金溅射靶材Glod(Au)Targets科研及工业必备材料
产品名称: | 高纯黄金及金基合金溅射靶材 |
牌号规格: | Au01、Au1、AuGe12、AuGeNi11.5-5、AuGeNi12-4、Au80Sn20 |
用途备注: | 金、金锗、金锗镍等溅射靶材通过磁控溅射工艺沉积在半导体芯片如GaAs、GaP、GaN等表面,形成欧姆接触膜、电极和连线膜。可形成多种金属化膜系统。 |
产 品 详 情
高纯贵金属金及合金是制造半导体芯片的关键基础材料。使用金靶材将金膜沉积在半导体芯片表面,形成欧姆接触膜、电极和连线膜,可形成多种金属化膜系统。该金属氧化膜系统可大量应用于制造发光二极管(LED),
军用和民用微波通信器件,航天、航空等重要领域用半导体化合物以及芯片太阳能电池等领域。
化学成分
序号 | 合金牌号 | 主成分 | |||||||||
Au | Ge | Ni | Ga | Be | |||||||
1 | Au1 | ≥99.99 |
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2 | Au01 | ≥99.999 | —— | —— | —— | —— | |||||
3 | Au88Ge | 88±0.5 | 余量 | —— | —— | —— | |||||
4 | Au83.5GeNi | 83.5±0.5 | 余量 | 5±0.4 |
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备注:可按客户要求提供其它成分的产品。 | |||||||||||
外形尺寸(mm) | |||||||||||
合金牌号 | 形状 | 规格 | 允许偏差 | 厚度 | 允许偏差 | ||||||
Au1、Au01 | 圆形 | 100-250 | ±0.1 | 3~6 | ±0.2 | ||||||
方形 | 127×381 | ±1 | 3~6 | ±0.2 | |||||||
AuGe12、Au83.5GeNi、 | 圆形 | 100-250 | ±0.3 | 6 | ±0.5 | ||||||
方形 | 127×381 | ±1 | 6 | ±0.5 | |||||||
备注:可供其它规格和允许偏差的产品。 | |||||||||||