场效应管
C2M0080120D现货热卖
2019-01-21 21:49660
信息概况
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价格：￥120.00/件
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起订：5件
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供应：10000件
品牌：CREE型号：C2M0080120D类型：其他封装外形：其他材质：P-FET硅P沟道工作电压：1200V工作电流：60AC2M0080120D：碳化硅功率 MOSFET详细说明Wolfspeed N沟道 SiC MOSFET C2M0080120D, 31 A, Vds=1200 V, 3针 TO-247封装lfspeed Z-Fet™、C2M™ 和 C3M™ 碳化硅功率 MOSFET。 Cree 功率分部 Wolfspeed 的一系列二代 SiC MOSFET，可提供行业领先的功率密度和切换效率。 这些低电容设备允许更高的切换频率，并降低了冷却要求，以提高整体系统工作效率。
• 增强模式 N 通道 SiC 技术
• 高漏-源击穿电压 - 高达 1200V
• 多个设备易于并行且易于驱动
• 高速切换，具有低接通电阻
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 31 A | |
| 最大漏源电压 | 1200 V | |
| 最大漏源电阻值 | 208 mΩ | |
| 最大栅阈值电压 | 3.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.7V | |
| 最大栅源电压 | -10 → +25 V | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 最大功率耗散 | 208 W | |
| 典型关断延迟时间 | 23.2 ns | |
| 典型输入电容值@Vds | 950 pF @ 1000 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 49.2 nC @ 20 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 长度 | 16.13mm | |
| 尺寸 | 16.13 x 5.21 x 21.1mm | |
| 晶体管材料 | SiC | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| Board Level Components | Y | |
| 高度 | 21.1mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5.21mm |
联系方式
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公司：北京宝光优创科技有限公司 （未注册）
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姓名：郭小姐
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电话：18701665783
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手机：18701665783
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地区：北京
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QQ：358291821
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