产品种类:  MOSFET   
制造商:  Toshiba   
RoHS:  否  
技术:  Si   
封装 / 箱体:  TO-220FP-3   
通道数量:  1 Channel   
晶体管极性:  N-Channel   
Vds-漏源极击穿电压:  500 V   
Id-连续漏极电流:  12 A   
Rds On-漏源导通电阻:  520 mOhms   
商标:  Toshiba  
高度:  15 mm  
长度:  10 mm  
系列:  2SK3568  
工厂包装数量:  50  
晶体管类型:  1 N-Channel  
宽度:  4.5 mm 

2SK3569

产品种类:  MOSFET   
制造商:  Toshiba   
RoHS:  否  
技术:  Si   
封装 / 箱体:  TO-220FP-3   
通道数量:  1 Channel   
晶体管极性:  N-Channel   
Vds-漏源极击穿电压:  600 V   
Id-连续漏极电流:  10 A   
Rds On-漏源导通电阻:  750 mOhms   
商标:  Toshiba  
高度:  15 mm  
长度:  10 mm  
系列:  2SK3569  
工厂包装数量:  50  
晶体管类型:  1 N-Channel  
宽度:  4.5 mm 

N-Channel 30 A 60 V MOSFET , SiC 1200 V MOSFET , SMD/SMT 1 Channel P-Channel - 50 A MOSFET , SOT-363-6 2 Channel N-Channel MOSFET , TSOP-6 2 Channel P-Channel MOSFET , PG-SOT-223-3 300 mOhms MOSFET