品牌：TWGMC型号：MMBT3904用途：功率结构：NPN管原理：双极性（BJT）半导体材料：硅封装方式：金属封装工艺：平面型三极管功耗：0 40VW频率特性：3V50NAMHz工作电压：IC = 0 6 VV工作电流：3V 50 NAA电流放大倍数：IB 5ma 0.95 V反向击穿电压：IB 5ma 0.3 VV穿透电流：0 100 NAA极间反向饱和电流：IB = 0 40 VA50mA：0.95 V
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MMBT3904晶体管（NPN）
品牌：TWGMC
型号：MMBT3904
封装：SOT23-5
包装：3000
年份：201806+
数量：600000
TWGMC 授权代理商
香港迪嘉有限公司
联系人：郭先生
电话：15816876741
特征
互补MMBT3906
标记：1am
最高额定值（ta = 25温度，除非另有说明）
电气特性（ta＝25度，除非另有说明）
参数符号测试条件
集电极基极击穿电压V（BR）CBO IC = 10微米A，IE = 0 60伏
集电极发射极击穿电压V（BR）首席执行官IC = 1mA，IB = 0 40 V
发射极-基极击穿电压V（BR）EBO IE = 10μ，IC = 0 6 V
集电极截止电流ICEX VCE = 30V，VEB（关闭）= 3V 50 NA
集电极截止电流ICBO VCB = 60V，IE = 0 100 NA
发射极截止电流IEBO VEB = 5V，IC = 0 100 NA
HFE（1）VCE = 1V，IC = 10ma 100 300
直流电流增益放大（2）VCE = 1V，IC = 50ma 60
HFE（3）VCE = 1V，IC = 100ma 30
集电极-发射极饱和电压VCE（SAT）0.3 =
基极-发射极饱和电压VBE（sat）IC = 50mA，IB 5ma 0.95 V
转换频率FT VCE = 20V，IC = 10mA，F = 100MHz的300兆赫
延迟时间td
VCC = 3V，VBE（关闭）进行10ma IC = =，
1ma IB1 =
35 ns
上升时间tr
VCC = 3V，VBE（关闭）进行10ma IC = =，
1ma IB1 =
35 ns
存储时间ts的VCC = 3V，IC = 10mA，IB1期= = 200 ns 1ma
下降时间tf的VCC = 3V，IC = 10mA，IB1期= = 50 ns 1ma
分类HFE（1）
HFE 100-300
秩1 h
射程100 - 200 - 200 - 300
符号参数值单位
Vcbo击穿电压60 V
VCEO集电极-发射极电压40 V
集电极开路，发射极-基极电压6 V
集成电路集电极电流200毫安
PC集电极功耗200毫瓦
RΘJA从结点到环境的热阻625℃/ W
TJ结温150度
最大容许储存温度55±150℃～
圆连操作温度0～+ 70℃
电气特性（ta＝25度，除非另有说明）
参数符号测试条件
集电极基极击穿电压V（BR）CBO IC = 10微米A，IE = 0 60伏
集电极发射极击穿电压V（BR）首席执行官IC = 1mA，IB = 0 40 V
发射极-基极击穿电压V（BR）EBO IE = 10μ，IC = 0 6 V
集电极截止电流ICEX VCE = 30V，VEB（关闭）= 3V 50 NA
集电极截止电流ICBO VCB = 60V，IE = 0 100 NA
发射极截止电流IEBO VEB = 5V，IC = 0 100 NA
HFE（1）VCE = 1V，IC = 10ma 100 300
直流电流增益放大（2）VCE = 1V，IC = 50ma 60
HFE（3）VCE = 1V，IC = 100ma 30
集电极-发射极饱和电压VCE（SAT）IC = 50mA，IB 5ma 0.3 V
基极-发射极饱和电压VBE（sat）IC = 50mA，IB 5ma 0.95 V
转换频率FT VCE = 20V，IC = 10mA，F = 100MHz的300兆赫
延迟时间td
VCC = 3V，VBE（关闭）进行10ma IC = =，
1ma IB1 =
35 ns
上升时间tr
VCC = 3V，VBE（关闭）进行10ma IC = =，
1ma IB1 =
35 ns
存储时间ts的VCC = 3V，IC = 10mA，IB1期= = 200 ns 1ma
下降时间tf的VCC = 3V，IC = 10mA，IB1期= = 50 ns 1ma
分类HFE（1）
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