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品牌：TDK型号：全系列
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C0G (EIA code) 或者叫 NP0 (产业习惯称呼) 所用的材料一般收到温度影响比较小
（Negative-Positive zero），温度系数在0±30ppm/℃以內，电容值随频率和电压变
化小于±0.05%。正因为C0G/NP0 所用的电介质lose比较小,所以呢，多会用在滤波器，
时钟电路，还有晶振匹配电路中；高频特性较好，最高可用到G bit级的电路中。但是这
类电容容值比有限，一般<10nF.
其它常用的一类电介质材料：P350, N1000/M3K.
X7R是在工业中被广泛采用的一种温度稳定型电容器，具有中等介电常数，电气性能较
稳定，在温度、电压等改变时，性能变化并不显著，适用于隔直、耦合、旁路与容量稳定
性要求不太高的鉴频电路。在使用温度（-55℃~+125℃）范围內容值变化率在±15%以內，
老化率为10年1%。X7R是一种强电介质，所以这种电容一般在100pF~2.2uF。
Y5V这种材料具有较高的介电常数，常用于生产比容较大的大容量電容器产品，可以用小
的尺寸做大容量的电容，但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度，电压等测试条件较
敏感。Y5V是一种普通用途的电容器，在使用溫度（-30~+85℃）范围內容值变化率较大，
+22/-82%以內，老化率为10年5%。容值范围 1000pF~10μF。
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额定电压的选择 电容器的工作电压必须低于额定电压，不得超过额定电压使用。
例如工作电压为12V时可选额定电压16～25V；工作电压为5V时可选6～10V；工作电压为
3.3V时，可选4～6V。这要看工作电压的稳定度及纹波电压大小而定。要注意的是电容量
与耐压有关。例如片状钽电容耐压4～50V，0.1～4.7μF小容量有额定电压为50V的，若
10μF以上要高于25V就少见，若47μF则一般仅16V为多，要25V也较难买到。所以在设计
上，在电容器容量大于47μF时，不要选择额定电压过高于工作电压，一则市场上难买到
（订货周期长），二则额定电压高的电容器尺寸大、价位高（25V的要比50V的便宜20%），
会提高产品成本。在设计选用时务必要根据工作电压来选择额定电压。
合理地选择电容器精度及材料类别 市售的片状电容器的精度在103以下的其
精度可达J级（±5%）；在103以上则J级较少、以K级（±10%）居多；在104以上则以M级
（±20%）为主。例如，在谐振回路中，为保证性能稳定，要采用C0G Ⅰ类材料及J级片状
多层陶瓷电容器，如在IC的电源正端往往要连接一个0.1μF的旁路电容，则可选Ⅲ类材料、
M级精度的片状多层陶瓷电容器。这样既能保证产品精度要求，又能降低产品成本。能直接
从市场上买到的电容器来设计、试制、对加快设计、缩短生产周期是极有利的，在经济上也
是有利（电容器一类元件的最低订货量相当大、并且订货周期要1～3个月，往往使设计者难
以接受。设计者要了解市场的供货情况，避免“闭门造车”。
市场上尺寸代码为0805的片状电容器的容量规格（系列）最齐全，而0603的一些偏
僻的容量可能会缺货。在生产批量不太大时，为防止市场缺货而影响生产，可以将焊盘稍作
延伸，使它能适用于0603及0805，可避免造成缺件而停产的问题。
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片状多层陶瓷电容器都是卷装的，型号在带盘上，而电容器上无任何标志。虽然可
以用测量方法知道其容量，但很难区别材料类别的精度等级，在使用过程中（特别是手工装
配）务必小心。
敞开式片状微调电容器不能用波峰焊，而封闭式片状微调电容器可用波峰焊。
有机半导体铝固体电解电容器的应用 在国外的不少电路图中往往可见“OS-C0N”
商标的电解电容器，它就是日本SANYO（三洋）公司的有机半导体铝固体电解电容器。它最大
的特点是虽然是电解电容器，但却有薄膜电容器相同的高频特性；其次是等效串联电阻小，并
且对温度不敏感；第三是可通过更大的纹波电流。例如，用30μH及1500μF/10V铝电解电容器
组成的LC滤波器时，若采用OS-C0N电解电容时（L不变），只要用22μF/20V的电容就可以达到
同样的效果。 另外有可能看到一个大容量的普通的铝电解电容器并联一个小容量OS-C0N电
解电容。这是因为OS-C0N的ESR低，并联后其ESR更低但小容量的OS-C0N电容器却可通过大部分
的纹波电流，使获得极好的滤波效果，使输出纹波电压减小很多，并且可减少损耗。
几种电容器的ESR及漏电流比较 前面介绍了多种电容器，现以ESR及漏电流作一个比
较，可供设计选择参考，如附表所示（其电容量都是0.47μF）。由附表可看出多层陶瓷的性能
确实不错，所以目前发展最快，最大的电容量已可做到100μF（但价较贵，并需订货）。
C0G电容的外形，和普通电容一样，也没有特殊标志，因此在使用前最好鉴别一下它的稳定
度，简易方法是在振荡回路中，焊好C0G电容，然后在输出端接入频率计，监视输出频率，利用
烙铁靠近或接触C0G电容端头，若是正品，频率变化不大，若属其他电容则变化量很大，利用比
较方法能明显的识别出C0G电容来。
片状电容器普遍采用多层结构，在使用时有些人采用烙铁手工焊接，这种方式一定要注
意焊接速度，避免过热，造成基化端头因温差大而断裂，使容量下降，有时是内部受伤，再经运
输振动的断裂。一些手工焊接的设备之所以障碍率高，这方面原因不容忽视。
片状电容器使用的是陶瓷基片，薄而脆。有些电路版较薄，安装时受力不均匀会变形，
很容易造成电容器折断，在手工操作的小厂这种现象很普遍。解决的方法除了改进设计工艺外，
可在容易造成折断的地方改用管状电容，管状电容强度高，不易折损。
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