品牌:AOS/美国万代型号:AOT12N30类型:绝缘栅型场效应管/MOS场效应管沟道类型:N型沟道导电方式:增强型适合频率:中频封装外形:SMDSO/表面封装材质:N-FET硅N沟道工作电压:300V工作电流:11.5A
area class="lazyLoad">数据列表
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标准包装 1,000 |
包装 管件 |
类别 |
产品族 |
规格
FET 类型MOSFET N 通道 | FET 功能标准 | 漏源极电压(Vdss)300V | 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)11.5A(Tc) | 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)420 毫欧 @ 6A,10V | 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)16nC @ 10V | 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)790pF @ 25V | 功率 - 最大值132W | 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型通孔 | 封装/外壳TO-220-3 | 供应商器件封装TO-220
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