原厂可替代SI2312 AO3416 AO3420 AP2302AGN PNMT20V06

描述
是的st2300 N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管
采用高密度，DMOS器件沟道技术。
这种高密度的过程，特别是定制，以尽量减少对状态电阻，这些设备
特别适合于低电压应用，如手机和笔记本电脑
计算机电源管理和其他的电池供电的电路，和低的在线功率损耗
需要一个非常小的轮廓表面贴装封装。

特征
20V／6A，RDS（ON）＝22毫欧（典型值）
@ VGS = 10V
20V／5.0A，RDS（ON）＝36毫欧
@ VGS = 4.5V
20V／4.5A，RDS（上）= 45毫欧
@ VGS = 2.5V
20V／4.0A，RDS（ON）= 60毫欧
@ VGS = 1.8
超高密度电池设计
极低的RDS（on）
特殊的阻力和
最大直流电流能力
sot-23-3l包装设计

诚招代理分销商。

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部分产品可代替ANPEC茂达、FAIRCHILD仙童、AOS、VISHAY威世等

ST2300SRG可替代WNM2016

ST2301A可替代Si2301、AO3423、FDN302P、FDN342P、FDN338P、APM2313、APM2323、STM2309

ST2302替代Si2302、TN0200T、FDN339AN、FDN371N、FDN335N、APM2314、APM2324、SSM3K102TU

ST2303替代Si2303、Si2307、Si2323、AO3405、AO3409、AO3421、FDN360P、FDN358P、FDN352AP

ST2305可替代Si2305、FDN304P、APM2301、NTR4101PT1G、RTR030P02、IRLML6402

ST3400SRG替代NTR4170NT1G

ST2341SRG替代AO3415、PPM3T20V6、SM2307PSA

ST2300替代SI2312、AO3416AO3420、AP2302AGN/PNMT20V06

ST2304替代Si2304 Si2306 AO3406NDS355AN  APM2306

ST2305A替代FDN306P、DMP2035U

ST2400S23RG替代AO3400、AP2305AGN、IRFML8244

ST3401M替代AO3401、CES2307

ST3422A替代AO3422A、ZXMN6A07F、G2301A

STN1810替代AO4886

STN4402替代Si4420  Si4882 Si4820  Si4894  AO4420 /4404B AO4422    AO4446 FDS6630A    FDS6614A    FDS6680   FDS6924 APM4820IRF7413/AP4800AGM XZN4420

STP4407可替代AO4407、APM4315K

STP4435A替代Si4431、Si4435、Si4425、AO4411、AO4415、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4419、si9804

STN4438替代ME4436

STN4488L替代AO4728L、IRF7832、SI7898DP、AO4410

STC4606替代SI5504、AO4606

STC4616替代Si4567、AOS4614

STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930/MDS5951

STN4920替代Si4920、AO4812

STP4953替代Si4953、AO4803、FDS8958、APM4953

ST9435替代Si9435、Si4431、AO4405、FDS9435、SSM9435GM

 ST16N10替代APM1110NUB、IRLR/U120NPbF、CEU12N10L

ST13P10替代SFR9120、AM1A16PSU/UB、IRF9530