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产品类别: MOSFET
制造商: 意法半导体
RoHS: 符合RoHS 细节
技术: 硅
安装风格: 通孔
包装/箱体: TO-220FP-3
渠道数量: 1通道
晶体管极性: N沟道
Vds - 漏源极击穿电压: 700 V
Id - 连续漏极电流: 8.6 A
Rds On - 漏源电阻: 850公里
Vgs - 栅源电压: 30 V
栅极源极阈值电压: 3.75 V
Qg - 门费: 64 nC
最小工作温度: - 55℃
最大工作温度: + 150℃
包装: 管
渠道模式: 增强
品牌: 意法半导体
配置: 单
下降时间: 19 ns
正向跨导 - 最小值: 7.7 S
身高: 9.3毫米
长度: 10.4毫米
Pd - 功耗: 35 W
上升时间: 19 ns
系列: N通道MDmesh
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1个N通道
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型开启延迟时间: 22 ns
宽度: 4.6毫米
单位重量: 0.011640盎司