品牌:台湾TWGMC型号:S9014用途:功率结构:NPN管原理:双极性(BJT)半导体材料:硅封装方式:金属封装工艺:平面型三极管功耗:040VW频率特性:3V50NAMHz工作电压:50V工作电流:100mA电流放大倍数:1.5反向击穿电压:050V穿透电流:0.1mA极间反向饱和电流:100mA50mA:0.95V
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S9014晶体管(NPN)
品牌:TWGMC
型号:S9014
封装:SOT23
包装:3000
年份:201806+
数量:600000
TWGMC 授权代理商
香港迪嘉有限公司
联系人:郭先生
电话:15816876741
特征:
标记:J6最高评级(TA=25℃,除非另有说明)符号参数值单位VCBO收集器-基准电压50V集电体-发射极电压45VVEBO发射极-基极电压5V集成电路集热器电流-连续0.1APC集热器功耗0.2WTJ结温150℃储存温度-55-150℃电特性(除另有规定外,TAMB=25℃)参数符号测试条件最小值类型最大单位集电极-基极击穿电压V(Br)CBOIC=100μA,IE=0 50v型集电极发射极击穿电压V(Br)CeO IC=0.1mA,IB=0.45v型发射极基极击穿电压V(Br)EBOIE=100μA,IC=0 5v型集电极切断电流ICBOVCB=50V,IE=00.1μA集电极切断电流iCeVCE=35V,IB=00.1μA发射极截止电流IEBO VEB=3V,IC=00.1μA直流电流增益HFE VCE=5V,IC=1mA 200450集电极发射极饱和电压VCE(SAT)IC=100 mA,IB=5mA0.3伏基极饱和电压VBE(SAT)IC=100 mA,B=5mA1伏过渡频率的fTVCE=5V,IC=10 mAF=30 MHz150兆赫1.baseSot-232.EMITTER3.COLECTOR


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